离子束刻蚀系统

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一、离子束刻蚀系统产品简介

离子束刻蚀系统的基本原理是利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。

二、离子束刻蚀系统主要技术指标：

1.极限真空：9´10^-5Pa

2.刻蚀均匀性与重复性：3英寸衬底均匀性优于±5% ，重复性优于±5%

3.刻蚀速率:200nm/min

4.基片尺寸：≤4英寸

5.刻蚀气体：:Ar

三、离子束刻蚀系统主要用途主要用于金属材料的刻蚀